Сегодня компания NXP Semiconductors N.V. представила устройство PBSM5240PF, которое объединяет в одном не содержащем свинца корпусе DFN2020-6 (SOT1118) ультракомпактный транзистор средней мощности и n-канальный полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET). Корпус DFN2020-6 (SOT1118) размером 2×2 мм и высотой всего лишь 0,65 мм был создан с учетом мировых тенденций миниатюризации мобильных устройств.
PBSM5240PF — одно из первых на рынке решений для управления питанием, сочетающее в себе BISS-транзистор с низким напряжением насыщения VCE(sat) и полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора, — экономит место на печатной плате и имеет отличные электрические характеристики.
Размер посадочного места PBSM5240PF сокращен более чем на 50%, а высота — более чем на 10% по сравнению с традиционными решениями, которые требуют двух отдельных корпусов: для BISS (Breakthrough in Small Signal — «прорыв в области малосигнальных устройств») транзистора и для полевого МОП-транзистора. Корпус DFN2020-6 (SOT1118) снабжен теплоотводом, благодаря чему удалось более чем на 25% улучшить тепловые характеристики устройства, увеличить токи до 2 А и снизить энергопотребление.
PBSM5240PF предназначен для зарядных цепей аккумуляторных батарей мобильных телефонов, MP3-плееров или других портативных устройств. Это решение может применяться также в переключателях нагрузки или в устройствах с батарейным питанием, которым требуются лучшие в своем классе температурные характеристики, чтобы выдерживать более высокие токи при миниатюрных размерах.