В дальнейшем Kioxia планирует применять новую технологию пятого поколения в устройствах большей емкости, на 1 терабит (128 гигабайт) с использованием TLC и 1,33 терабит с использованием QLC (quadruple-level cell, четыре бита на ячейку).
Инновационная 112-слойная структура Kioxia в сочетании с продвинутой схематикой и передовыми производственными технологиями позволяет получить примерно на 20% более высокую плотность ячеек по сравнению с 96-слойной структурой предыдущего поколения. Таким образом удалось снизить стоимость памяти в перерасчёте на один бит и одновременно увеличить ёмкость производимой памяти из расчёта на одну кремниевую пластину. Кроме того, скорость работы интерфейса возрастает на 50%, увеличивается производительность во время программирования, сокращается задержка при чтении.
С момента анонса первого в мире прототипа 3D флеш-памяти в 2007 году, Kioxia продолжает развивать эту технологию и активно продвигает BiCS Flash, чтобы удовлетворить спрос на большие ёмкости для хранения данных с использованием кристаллов меньшего размера.
Пятое поколение BiCS Flash было разработано совместно с технологическим и производственным партнером — компанией Western Digital Corporation. Её производство будет организовано на фабрике Kioxia в Йоккаити и на недавно построенном заводе в Китаками.